MOCVD系統(tǒng)

一、主要用途：???金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)主要用于金屬氫化物薄膜的制備。二、技術(shù)指標(biāo)：?1．尺寸：真空室直徑約400mm，高度約450mm，材料：不銹鋼；????2．真空度：背景真空8.0×10-6Pa，漏率為：1.0×10-7PaL/s；???3．真空室壓力調(diào)節(jié)范圍0.1Pa～500Pa，精度±1％；等離子體產(chǎn)生方式為RF射頻電感耦合放電，頻率13.56MHz，功率0～500W連續(xù)可調(diào)；???

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產(chǎn)品分類：

MOCVD

電話：

024-23758583

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詳細(xì)介紹

一、主要用途：

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)主要用于金屬氫化物薄膜的制備。

二、技術(shù)指標(biāo)：

1．尺寸：真空室直徑約400mm，高度約450mm，材料：不銹鋼；
   2．真空度：背景真空8.0×10^-6Pa，漏率為：1.0×10^-7PaL/s；
   3．真空室壓力調(diào)節(jié)范圍0.1Pa～500Pa，精度±1％；等離子體產(chǎn)生方式為RF射頻電感耦合放電，頻率13.56MHz，功率0～500W連續(xù)可調(diào)；
    4. 襯底可以旋轉(zhuǎn)和控溫，旋轉(zhuǎn)速率0～60rpm連續(xù)可調(diào)，旋轉(zhuǎn)平穩(wěn)度好，最高溫度800℃，控溫精度±1K，襯底盤直徑80mm，在軸線方向位置可調(diào)，距離真空室頂部50mm～150mm；

5.烘烤照明：采用碘鎢燈加熱烘烤方式，對真空室進(jìn)行烘烤除氣，也可以當(dāng)作照明用，加熱溫度為室溫至200度，程序控溫；
6.MO蒸氣采用兩處進(jìn)氣的方式，其一，從等離子體產(chǎn)生室頂部進(jìn)氣，其出口在石英腔中的位置可以調(diào)整，其二，從真空室側(cè)面進(jìn)氣送入等離子體區(qū)域離化反應(yīng)。

7.計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)：實(shí)現(xiàn)閘板閥的控制及流量計(jì)的控制功能、電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)及升降的控制功能、溫度及真空度的采集功能、壓力控制及各閥開關(guān)的控制功能。

三、系統(tǒng)組成：

本設(shè)備主要由配氣系統(tǒng)、真空室及真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)三部分組成。

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