蒸發鍍膜機
蒸發鍍膜機一、設備目的：進行金屬配合物的鍍膜（主要指有機）。二、技術要求：1、鍍膜室：鍍膜腔室尺寸約為Φ220×280mm，不銹鋼材料，圓柱形前開門結構，內帶有防污板。2、抽氣系統：采用分子泵+機械泵抽氣系統；2.1、真空度：鍍膜室的極限真空≤6×10-4Pa；2.2、系統漏率≤1×10-7PaL/s。3、蒸發源系統：3.1、有機源蒸發源一個，容積5ml，一臺蒸發電源，可測溫控溫，加熱溫度400℃
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蒸發鍍膜機
一、設備目的：進行金屬配合物的鍍膜（主要指有機）。
二、技術要求：
1、鍍膜室：鍍膜腔室尺寸約為Φ220×280mm，不銹鋼材料，圓柱形前開門結構，內帶有防污板。
2、抽氣系統：采用分子泵+機械泵抽氣系統；
2.1、真空度：鍍膜室的極限真空≤6×10-4Pa；
2.2、系統漏率≤1×10-7PaL/s。
3、蒸發源系統：
3.1、有機源蒸發源一個，容積5ml，一臺蒸發電源，可測溫控溫，加熱溫度400℃，功率0.5Kw；
3.2、擋板：蒸發源擋板采用手動磁力控制方式，控制其開啟；
3.3、安裝：蒸發源安裝在真空室的下底上。
4、樣品架系統：
4.1、樣品架可放置大小為Φ50mm的樣品，載玻片；
4.2、樣品架可旋轉，旋轉速度為：0～30轉/分；
4.3、安裝：樣品安裝在真空室的上蓋上，蒸發源安裝在真空室的下蓋上，向上蒸發鍍膜，蒸發源都帶有擋板裝置。
5、樣品在鍍膜過程中，帶有烘烤加熱功能，最高烘烤加熱溫度為：室溫～180℃，測溫控溫。
6、設備帶有斷水斷電連鎖保護報警裝置、防誤操作保護報警裝置。
三、實施方案：
該設備主要由真空抽氣及測量系統、鍍膜室系統、蒸發源及控制系統、樣品臺系統、輔助系統、電控系統等組成。
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