LZS -400 多功能離子束與磁控濺射鍍膜機系統
一、用途：???本系統為雙室超高真空多功能磁控濺射鍍膜系統，可用于開發單層及多層金屬膜、介質膜及氧化物薄膜。二、技術指標：1.采用雙室立式結構，不銹鋼材料，獨立的抽氣系統，上蓋可升降；離子束室：尺寸約?400；磁控室：尺寸約?400；2.鍍膜室極限真空度：3×10-5Pa，系統漏率：1×10-7Pal/s；3.濺射離子源（8cm）和輔助沉積離子源（6cm）各一個；4.濺射靶：有效尺寸3英寸，數量：
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一、用途：
本系統為雙室超高真空多功能磁控濺射鍍膜系統，可用于開發單層及多層金屬膜、介質膜及氧化物薄膜。
二、技術指標：
1.采用雙室立式結構，不銹鋼材料，獨立的抽氣系統，上蓋可升降；離子束室：尺寸約Ø400；磁控室：尺寸約Ø400；
2.鍍膜室極限真空度：3×10-5Pa，系統漏率：1×10-7Pal/s；
3.濺射離子源（8cm）和輔助沉積離子源（6cm）各一個；
4.濺射靶：有效尺寸3英寸，數量：3支，標準型永磁靶，水冷；濺射靶電源：直流電源2臺：功率：1000W；射頻電源1臺：500W；
5.磁控濺射鍍膜成膜方式：三靶共濺射成膜；
5.濺射室工件架：一次可鍍膜一個最大有效尺寸直徑2英寸樣品，樣品可加熱，最高8000°C，程序控溫；
6.離子束鍍膜工件架：一次可鍍膜一個最大有效尺寸直徑2英寸樣品，或多個小樣品，樣品可加熱，最高5000°C，程序控溫；
7.磁控濺射室樣品可加負偏壓，最高加到-200V；
8.樣品表面于磁控靶面距離130mm±30mm,手動連續可調；
9.磁控濺射是樣品可連續實現自傳，轉速為0～50轉/分，連續可調可控；
10.鍍膜過程采用計算機控制，具有復位功能、確認靶位功能、濺射鍍膜時間控制功能、樣品自轉控制功能、擋板控制功能、轉靶靶位控制功能。
三、主要組成：
主要由真空抽氣及測量系統、磁控濺射鍍膜系統、離子束濺射鍍膜系統、氣路系統、冷卻劑水壓報警系統、電控及計算機控制系統、輔助系統等組成。
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