JSD-500Ⅱ磁控濺射鍍膜系統
一、系統用途：??系統為單室超高真空多功能磁控濺射鍍膜設備，可用于開發單層及多層功能膜各種硬質膜、金屬膜、半導體膜、非金屬介質膜、磁鐵膜和磁控薄膜等材料。二、技術指標：1.真空指標：系統極限真空度6.7×10-6Pa;2.系統結構：Φ500×350（mm）圓形立式不銹鋼；3.濺射靶：有效尺寸Φ75磁控靶3臺；4.樣品臺：有效尺寸Φ50mm樣品托4個；樣品可公轉可自轉，公轉0～20轉/分，自轉0～2
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一、系統用途：
系統為單室超高真空多功能磁控濺射鍍膜設備，可用于開發單層及多層功能膜各種硬質膜、金屬膜、半導體膜、非金屬介質膜、磁鐵膜和磁控薄膜等材料。
二、技術指標：
1.真空指標：系統極限真空度6.7×10-6Pa;
2.系統結構：Φ500×350（mm）圓形立式不銹鋼；
3.濺射靶：有效尺寸Φ75磁控靶3臺；
4.樣品臺：有效尺寸Φ50mm樣品托4個；樣品可公轉可自轉，公轉0～20轉/分，自轉0～20轉/分；
5.樣品清洗：Φ5（cm）離子清洗源一臺；
6.烘烤：樣片襯底可烘烤，烘烤溫度：最高300℃，連續可調；
7.氣路系統：兩路質量流量計控制，流量范圍：流量范圍0～100sccm。
8.濺射鍍膜過程計算機控制，具有：復位功能、確認靶位功能、濺射鍍膜時間控制功能、樣品自轉公轉控制功能、靶的遮擋功能。
三、系統組成：
系統主要由真空獲得系統、真空測量系統、真空室、磁控靶及電源系統、磁控靶擋板系統、氣路系統、離子清洗源、臺架系統、電控及計算機控制系統和樣品加熱系統等組成。
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