SACJSS-550型超高真空多功能磁控濺射系統

一、主要用途：　　系統用于開發單層及多層功能膜和復合膜各種硬質膜、金屬膜、半導體膜及介質膜等。二、技術指標：?1．極限真空：主濺射室6.7×10-5Pa；預處理室：6.7×10-4Pa；?2．結構：主濺射室為Φ550×350(mm)圓柱形立式不銹鋼結構；預處理室為：Φ250×300(mm)圓筒型臥式前開門不銹鋼結構；?3．磁控靶：3英寸lesker直流射頻兼容永磁靶1只；磁控靶與樣品距離可調，調節

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磁控濺射鍍膜系統

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一、主要用途：
　　系統用于開發單層及多層功能膜和復合膜各種硬質膜、金屬膜、半導體膜及介質膜等。

二、技術指標：
1．極限真空：主濺射室6.7×10-5Pa；預處理室：6.7×10-4Pa；
2．結構：主濺射室為Φ550×350(mm)圓柱形立式不銹鋼結構；預處理室為：Φ250×300(mm)圓筒型臥式前開門不銹鋼結構；
3．磁控靶：3英寸直流射頻兼容永磁靶1只；磁控靶與樣品距離可調，調節距離60～150mm；
4．工件架：單工位；基片可加熱室溫至800℃，程序控溫；可自轉，轉速為：0～60轉/分鐘；樣品加負偏壓0～200V可調，精度好于2％；
5．樣品預處理室配有退火爐，最高加熱溫度1000℃；
6．四路進氣，質量流量計控制，范圍：0～100sccm；
7．濺射鍍膜過程計算機控制，具有：復位功能、確認靶位功能、濺射鍍膜時間控制功能、樣品公轉自轉控制功能及靶的遮擋功能。

三、系統組成：
　　本系統主要由真空抽氣系統、真空測量系統、濺射室系統、樣品預處理室系統、工件架及擋板系統、磁力傳遞送樣系統、氣路系統、電控及水壓保護系統和計算機控制系統等組成。

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