JSD-700Ⅲ 磁控濺射鍍膜系統
一、設備用途:???本設備為單室結構的多靶磁控濺射鍍膜設備，可用于單質膜及多層功能膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等。二、技術指標：1．真空室采用立式前開門結構，尺寸為：Φ700×H742（mm），不銹鋼材料；2．極限真空度：濺射室(經烘烤)真空度極限≤5×10-5Pa；3．系統漏率：停泵關機12小時后，濺射室真空度可達≤15Pa；4.系統抽速：工作真空：短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始對真空室抽氣，4
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一、設備用途:
本設備為單室結構的多靶磁控濺射鍍膜設備，可用于單質膜及多層功能膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等。
二、技術指標：
1．真空室采用立式前開門結構，尺寸為：Φ700×H742（mm），不銹鋼材料；
2．極限真空度：濺射室(經烘烤)真空度極限≤5×10-5Pa；
3．系統漏率：停泵關機12小時后，濺射室真空度可達≤15Pa；
4. 系統抽速：工作真空：短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始對真空室抽氣，40分鐘內真空度≤5×10-4Pa；
5. 旁抽系統：旁抽系統采用一路CF35手動角閥抽氣。通過三通和管道由KF40電磁截止閥使機械泵和分子泵切換；
6. 濺射靶：四支矩形永磁非平衡靶（約15英寸×5英寸），磁控靶不設置檔板；
7. 樣品轉臺：樣品轉臺采用星形傳動進行，共6根自轉掛件轉軸，有效濺射長度約300mm ，樣品轉臺可加負脈沖偏壓≤-500V。轉臺可連續回轉，5～15轉/分連續可調；
5．樣品可加熱，加熱溫度：室溫～250℃，采用高精度控溫表，程序控溫；
6．進氣系統：采用手動三路供氣，三路單獨進行流量控制單獨進氣；
7.系統采用計算機控制，計算機主要實現真空度的采集、樣品公自轉、加熱溫度、壓強采集等功能。
三、系統組成：
該設備主要由真空抽氣及測量系統、濺射室系統、磁控濺射靶及電源系統、樣品臺系統（樣品臺主體、偏壓電源、樣品加熱)、氣路系統、電器及計算機控制系統、輔助系統等各部分組成。
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