【TAJSS】超高真空復合鍍膜系統

一、主要用途：設備主要制備單層膜、多層膜和多組份的金屬膜、氧化物薄膜等。二、技術指標：1、采用雙室結構：一個主濺射室（濺射鍍膜室）；一個為樣品室（共濺射時樣品取放）；2、濺射室極限真空度：6.7×10-5Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；進樣室極限真空度：6.7×10-4Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；濺射室和進樣室共用一套真空抽氣機組。3、超真空真空磁控靶及電源：有效尺寸4英寸，數

關鍵詞：

產品分類：

磁控濺射鍍膜系統

電話：

024-23758583

產品詢價

相關產品

詳細介紹

一、主要用途：設備主要制備單層膜、多層膜和多組份的金屬膜、氧化物薄膜等。

二、技術指標：

1、采用雙室結構：一個主濺射室（濺射鍍膜室）；一個為樣品室（共濺射時樣品取放）；

2、濺射室極限真空度：6.7×10-5Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；進樣室極限真空度：6.7×10-4Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；濺射室和進樣室共用一套真空抽氣機組。

3、超真空真空磁控靶及電源：有效尺寸4英寸，數量：3支，標準型永磁靶，水冷；RF：600W，一臺。

4、鍍膜方式：單層膜、交替多層膜、三靶共濺射；

5、沉積速率：10nm/min；不均勻性：小于5%（4英寸范圍內）；三靶共濺射時，采用的是加熱旋轉樣品臺，樣品與靶基距：110mm—130mm，，可手動連續調節；當采用射頻靶鍍膜時，安裝擺動加熱樣品臺，靶基距為：60mm—110mm。

6、樣品臺：共兩套。一套為一工位加熱旋轉樣品臺；最大可放置4英寸的樣品一個；樣品通過進樣室進樣，樣品臺最高的加溫溫度為500℃，程序控溫；樣品實現自轉，轉速為：0~50轉/分。一套為一工位加熱擺動樣品臺（該樣品臺不旋轉，不通過進樣室對樣品進行交接，直接通過真空室前方的鉸鏈門直接進樣）；最大可放置4英寸的樣品一個；樣品臺最高的加溫溫度為500℃，程序控溫；樣品臺可實現擺角，與靶面夾角范圍為0°～45°。

7、氣路：三路進氣（N2、Ar、O2），分別用質量流量控制器控制；

8、濺射室烘烤照明：采用紅外加熱除氣方式，烘烤溫度：150℃；

9、真空室內有襯板，避免濺射材料直接濺射到濺射室真空壁上；

10、設備具有斷水斷電連鎖保護功能；

11、旋轉樣品臺濺射鍍膜過程采用計算機控制，具有：（1）樣品復位功能（2）確認靶位功能（3）濺射鍍膜時間控制功能（4）樣品自轉控制功能（5）靶擋板開啟控制功能等控制。

三、系統組成：本系統為兩室結構的超高真空控濺射鍍膜設備，主要由濺射室系統、樣品室系統、真空抽氣及測量系統、靶及電源系統、樣品臺系統、樣品交接與傳遞系統、氣路系統、電控及計算機控制功能、輔助系統等組成。

相關產品