JSD-1300 高精度超高真空低濺射氣壓磁控濺射鍍膜設(shè)備
TAJS(D)-1300高精度超高真空低濺射氣壓磁控濺射鍍膜設(shè)備(單室)一、主要用途:???本設(shè)備主要用于實(shí)驗(yàn)室制備極紫外、軟X射線、X射線、和中子光學(xué)薄膜元件。二、技術(shù)指標(biāo):1.真空指標(biāo):極限真空度:1.0×10-6Pa;2.從大氣狀態(tài)啟動(dòng)真空系統(tǒng),兩個(gè)小時(shí)內(nèi),真空可以達(dá)到3.0×10-4Pa;系統(tǒng)總漏率≤1.0×10-8PaL/S;3.設(shè)備的工作壓強(qiáng)0.5~2.5mtorr;4.系統(tǒng)結(jié)構(gòu):Φ1
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TAJS(D)-1300高精度超高真空低濺射氣壓磁控濺射鍍膜設(shè)備(單室)
一、主要用途:
本設(shè)備主要用于實(shí)驗(yàn)室制備極紫外、軟X射線、X射線、和中子光學(xué)薄膜元件。
二、技術(shù)指標(biāo):
1.真空指標(biāo):極限真空度:1.0×10-6Pa;
2.從大氣狀態(tài)啟動(dòng)真空系統(tǒng),兩個(gè)小時(shí)內(nèi),真空可以達(dá)到3.0×10-4Pa;系統(tǒng)總漏率≤1.0×10-8PaL/S;
3.設(shè)備的工作壓強(qiáng)0.5~2.5mtorr;
4.系統(tǒng)結(jié)構(gòu):Φ1300×360(mm)(內(nèi)徑)圓筒立式雙升降不銹鋼結(jié)構(gòu);
5.磁控靶尺寸:15英寸×5英寸×6mm 設(shè)計(jì)4個(gè)靶位,均布;靶與基片距離:40~100mm,用導(dǎo)向螺桿可手動(dòng)連續(xù)調(diào)節(jié);
6.基片尺寸:最大尺寸為Φ203(mm),厚度為50(mm);
7.基片自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速:0~300轉(zhuǎn)/分,手動(dòng)分檔調(diào)速(50轉(zhuǎn)一檔);
8.樣品架隨大公轉(zhuǎn)盤(pán)轉(zhuǎn):0.005~5轉(zhuǎn)/分,控制精度0.5%;公自轉(zhuǎn)速度均可控可調(diào),基片公轉(zhuǎn)時(shí)與靶平行,偏差小于1mm;
9.真空室上蓋雙支撐升降,最大升降高度≥70mm,便于清洗和更換樣品;
10.氣路:四路質(zhì)量流量計(jì)控制,每路0~20sccm;
11.濺射鍍膜過(guò)程計(jì)算機(jī)控制,具有:復(fù)位功能、確認(rèn)靶位功能、濺射鍍膜時(shí)間控制功能和回轉(zhuǎn)控制功能。
三、系統(tǒng)組成:
系統(tǒng)主要由濺射室、磁控靶及電源、工件架、烘烤照明系統(tǒng)、上蓋雙升降機(jī)構(gòu)、氣路系統(tǒng)、真空抽氣及真空測(cè)量系統(tǒng)、臺(tái)架、電控及計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)等組成。

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